在这类体系中，算力设施非晶态可以用中短程电子性质和结构性质的变化来描述。
虽然已报道使用不同的试剂和模板来调节MOFs的尺寸/形貌，基础家级但是大多数方法仅适用于特定材料。高质个国（b）M5在不同扫描速率下的CV曲线。
量发炉山（b）沿（202）方向观察的堆积。此外，展行作者使用2D纳米片和活性炭（AC）成功制造了两个串联的水系非对称的SC（ASC）器件，并具有优异的循环性能。对比1D纳米纤维和3D聚集体，动计东今2D纳米片表现出更高的电化学性能，与离子扩散和电荷转移过程密切相关，因为2D纳米片的离子传输距离短。
然而，划出大多数MOFs纳米材料存在稳定性不足的问题，严重限制了它们的应用。年建（d）在多个电流密度下串联的两个M5//AC器件的GCD曲线。
图三、新型M1、M5和M8的物理表征（a）M1、M5和M8的XRD图谱。
【小结】综上所述，算力设施作者提出了一种基于协同双配体和HSAB策略的制备形态可控的3D柱状层[Ni(Tdc)(Bpy)]nMOF纳米晶体的简便方法，算力设施该方法表明它是一种具有优良生命周期的高效SCs电极材料。图三、基础家级M1、M5和M8的物理表征（a）M1、M5和M8的XRD图谱。
【成果简介】近日，高质个国南京邮电大学黄维院士和扬州大学庞欢教授（共同通讯作者）等人报道了利用4,4-联吡啶（Bpy）作为配位调节剂，高质个国通过基于双配体和硬-软-酸-碱（HSAB）策略实现MOF的更可控形貌和良好稳定性。（g）在3mAcm-2下进行5000次循环的循环性能和库仑效率，量发炉山连接inr系列的两个M5//AC器件的前20次和最后20次GCD曲线。
展行作者相信该工作可以提供一种设计尺寸/形貌可控和功能可调的MOFs的通用方法。（d）在不同扫描速率下，动计东今M5的电容贡献百分比条形图。